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智能操控与能动力未来国民技能M光储充,以安全高效赋S双芯驱动

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跟着全球动力结构向清洁化、。智能。化转型,光伏+储能+充电光储充)。一体化解决计划成为职业热门。在这一范畴中,微操控器。。MCU。)和。电池办理。体系BMS)芯片作为中心操控单元,别离承当体系智能化办

跟着全球动力结构向清洁化 、国民光储 。双芯智能。驱动全高化转型,充智光伏+储能+充电(光储充) 。操能动一体化解决计划成为职业热门 。控安在这一范畴中 ,效赋微操控器 。国民光储( 。双芯MCU 。驱动全高)和。充智电池办理 。操能动体系(BMS)芯片作为中心操控单元 ,控安别离承当体系智能化办理和电池安全高效运转的效赋要害使命。国民技能MCU与BMS芯片产品凭仗其高功用  、国民光储低功耗和高检测精度等优势 ,正推进光储充体系向更高效、更牢靠的方向开展。


6月12日,在全球光储交融前沿技能大会上,国民技能商场总监刘亚明与职业专家、用户代表打开深化沟通 ,要点讨论N32系列MCU及 NB系列 BMS 。 AFE。产品在光储充范畴的使用优势 。会议聚集怎么经过高运算功用和高检测精度的  。芯片技能 。提高动力办理功率  、优化体系运转功用,并打造更安全牢靠的用户体会。


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N32 MCU :光储充体系的“才智大脑” 。

国民技能N32 MCU产品宗族已构成完好的32位微操控器产品矩阵 ,包含38个产品系列 、近300款类型,全面掩盖Cortex-M0/M4/M7内核架构 ,主频规模48 MHz至600 MHz  ,在业界具有先进的工艺制程、立异性的双核异构构架以及广泛的全栈产品掩盖等优势 。


刘亚明在本次讲演中具体解析了国民技能MCU产品在光储充范畴的技能优势:

01高效动力办理 ,提高体系安稳性 。

在光储充体系中,动力的高效转化与办理至关重要。MCU经过精准的。算法 。操控 ,完成光伏MPPT(最大功率点盯梢)优化、电池储能智能办理(BMS)和 。充电桩。动态功率分配。N32 MCU高算力(最高主频600 MHz,功用达1284 DMIPS) 、 。高精度 。(100 ps超高分辨率PWM输出)和实时呼应才能(支撑Flash加快单元完成零等候履行程序),保证动力活动更高效,体系运转更安稳。


02低功耗规划 ,延伸设备续航。

光储充体系一般需求7×24小时运转,MCU的低功耗特性可大幅下降待机功耗,能够协助光储充体系削减动力糟蹋,提高整体能效。 N32 MCU在低功耗规划方面支撑:

— 休眠形式唤醒:N32 MCU支撑RUN、SLEEP、Stop0 、Stop2 、Standby、VBAT等作业形式,根据作业场景切换作业形式 ,削减无效能耗 。

— 动态电压调理:可根据负载状况调整MCU运转频率和电压,优化能耗比。


03高集成度  ,体系规划更灵敏。

N32 MCU最大集成了高达4MB Flash存储空间,1.5MB的S 。RAM 。空间,便于运转各种高效的动力计量与办理算法 ,除此之外集成了丰厚的外设资源,如。ADC。、。DAC 。 、CMP等 。模仿。外设  ,内部集成多个。UART。、 。USB 。 、 。CAN 。/CAN FD和  。Ethernet  。等 。通讯接口 。 ,让体系规划更灵敏。


04实时呼应与安全维护。

光储充体系对安全性和实时性要求极高,MCU的实时性与安全性保证了光储充体系的牢靠性与智能化 。

N32 MCU供给:

— 硬件级维护机制:多种芯片内硬件级维护机制、 。时钟。失效监测等毛病的快速检测与关断机制 。

— 数据加密与安全发动 :防止。黑客 。进犯 ,保证用户数据和设备安全 。


NB BMS+N32 MCU芯片协同助力安全高效 。

国民技能为光储充商场供给完好的芯片级解决计划 ,经过MCU+BMS芯片协同立异 ,构建安全高效的动力办理体系 。

产品矩阵与技能优势:

BMS AFE芯片NB1802 :高精度电池监测前端 。

— 支撑6-18串电芯监控。

— ±1.5 mV电压检测精度(-20 ℃~60 ℃) 。

— 350 mA大电流被迫均衡,最长90小时离线均衡。

— 1.5 Mbps菊花链。通讯。,支撑62颗级联。

— 10路GPIO或模仿输入,支撑灵敏装备Busbar丈量通道 。

NBT02 :专用桥接芯片,支撑 。环形 。拓扑通讯。

NB1802与NBT02芯片将于年末发布 。


广泛的光储充使用事例。

大会同期的2025 SNEC世界光伏储能展 ,国民技能带来了包含关断器、。逆变器 。、集中式架构储能计划 、。数字电源。  、沟通充电桩以及60KW直流充电桩等光储充用户事例与计划。


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光伏关断器使用。

主控芯片  :N32H474。

优势 :

— 高功用 :ARM 。Cortex-M4F200 MHz,功用达250 DMIPS ,支撑 。 DSP 。指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。

— 高精度。定时器。资源:1xSHR。TI 。M (125 ps)、3xATIM(5 ns) 、10xGTIM(5 ns/5.56 ns) 。

— 高功用模仿:4x12-bit 4.7Msps 。 AD。C  、8x12-bit DAC 、4xPGA、7xCOMP。

— 高安全:支撑外部高速 、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制,支撑安全发动,支撑多种硬件加密算法 。

使用特色 :

主控芯片实时收集电压 、 。电流 。及温度数据,经过磁。耦合器。模块(  。RS 。M)根据SunSpec协议传输至快速关断器(RSD) ,触发光伏组件。电气。解耦 ,保证30秒内电压降至安全规模  。


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逆变器使用。

主控芯片 :1xN32H765+ 2xN32H473  。

优势:

N32H765 。

—高功用:ARM Cortex-M7600 MHz ,功用达1284DMIPS ,双精度浮点运算单元,支撑DSP指令和MPU,支撑Flash加快单元完成零等候程序履行。

— 高精度定时器资源:2x16-bit SHRTIM (100 ps) 、4x16-bit ATIM(3.3 ns) 、10x16-bit GTIM、4x32-bit BTIM、5x16-bit LPTIM 。

— 高功用模仿外设  :3x12-bit 5 Msps ADC(支撑16-bit硬件过采样 ,支撑单端和差分形式)、6x12-bit DAC、 4xCOMP。

— 丰厚的数字 。接口。 :15xU(S)ART、8xCAN FD 。

— 高安全:支撑外部高速  、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制,支撑安全发动,支撑多种硬件加密算法。


N32H473 。

— 高功用 :ARM Cortex-M4F200 MHz,功用达250 DMIPS,支撑 DSP 指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行。

— 丰厚的定时器资源: 3x16-bit ATIM(5 ns) 、10x16-bit GTIM、2x32-bit BTIM、2x16-bit LPTIM。

— 高功用模仿外设 :4x12-bit 4.7 Msps ADC、8x12-bit DAC 、4xPGA、7xCOMP。

— 丰厚的数字接口:8xU(S)ART(其间三个UART支撑恣意I/O映射), 2xCAN FD(恣意I/O映射) 。

— 高安全  :支撑外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ,支撑安全发动,支撑多种硬件加密算法。

使用特色 :

主控MCU完成中心操控功用 ,包含:

— MPPT(最大功率点盯梢)。

● 支撑4路MPPT ,独立优化 ,适配不同朝向/倾角/暗影遮挡的光伏组串,提高发电功率。

● 21A大电流输入,兼容182/210大尺度高效组件,支撑1.1倍直流超配,最大化使用组件功率。

— 。 DC 。/。AC。转化操控。

● 选用高效  。IGBT。/SiC MOS拓扑,转化功率高达98.6%,下降能量损耗;支撑宽电压输入规模(200 V~1000V DC) ,习惯不同光照条件下的组件输出 。


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集中式架构储能计划 。

芯片类型:

MCU:N32H47x/N32G45x 。

BMS AFE :NB1802  。

菊花阻隔链通讯芯片:NBT02 。

计划特色 :

— 安稳检测电池包电压和温度 。

— 电压精度±1.5 mV(常温),±3 mV(-40 ℃~125 ℃);温度精度0.5 ℃~1 ℃ 。

— 高牢靠性菊花链(环状)通讯,支撑正向/反向唤醒。

— 支撑BusBar电压收集(-1 V ~5 V),通道灵敏可配。

— 低功耗 。

Active: 10 mA ,

Shutdown: 15 uA。


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数字电源计划。

主控芯片 :N32H474。

优势 :

— 高功用:ARM Cortex-M4F200 MHz ,功用达250 DMIPS ,支撑 DSP 指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行。

— 高精度定时器  :支撑12通道125ps超高分辨率相位可调的PWM输出。

— 高集成度外设 :4x12-bit 4.7 Msps ADC、8x12-bit DAC 、4xPGA、7xCOMP  、3xCAN FD 。

— 高安全:支撑外部高速 、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制,支撑安全发动,支撑多种硬件加密算法 。

使用特色:

单芯片完成500-5000W的多相。FPC 。+LLC数字电源操控 。


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沟通充电桩使用 。

主控芯片:N32G457  。

优势 :

— 最优效能本钱比:ARM Cortex-M4F144MHz,功用达180DMIPS ,支撑Flash加快单元完成零等候程序履行。

— 高集成度 :7xU(S)ART 、3xSPI(2个支撑I2S) 、4xI2C,1xUSB2.0、2xCAN2.0。

— 高安全 :支撑外部高速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制,支撑安全发动,支撑多种硬件加密算法。

使用特色 :

N32G457作为整机 。操控器 。 ,完成充电枪状况检测、功率操控 、充电模块温度监测、电量计量、语音播报 ,并经过。4G。或。以太网。将数据上传至服务器 。


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直流充电桩使用  。

主控芯片: N32H474。

优势:

— 高功用 :ARM Cortex-M4F200 MHz ,功用达250 DMIPS ,支撑 DSP 指令和 MPU, 支撑Flash加快单元完成零等候程序履行 。

— 高精度定时器资源:支撑12通道125 ps超高分辨率相位可调的PWM输出 。

— 高集成度外设 :4x12-bit 4.7 Msps ADC 、8x12-bit DAC、4xPGA 、7xCOMP 、3xCAN FD。

等通讯接口 。

— 高安全 :支撑外部高速、低速时钟失效检测和防拆检测等硬件防护机制 ,支撑安全发动 ,支撑多种硬件加密算法  。

使用特色:
— 操控充电启停、预充电(防止电流冲击)、恒流(CC)/恒压(CV)形式切换 ,保证契合国标。

— 实时高精度调整PWM占空比,准确操控输出电压(200V-1000V)和电流(0-400A) 。

— 经过 CAN总线与车辆BMS交互,获取电池SOC、温度、最大答应充电电流等参数,动态调整充电战略 。

— 具有过欠压维护 、过流维护、绝缘监测、温度维护和急停等功用 。


附录:光储充使用MCU引荐类型主要参数比照 。

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