在数字化转型浪潮的德州电源推进下 ，为了完成更快的仪器数据处理 、大数据存储以及 。长城U产人工智能 。深化( 。协作AI 。起研) ，制服服务器的德州电源需求呈指数级增加 ，对。仪器电源 。长城U产在功率和功率密度方面的深化技能要求也逐步进步 。德州仪器 。协作( 。起研TI 。制服) 。德州电源与 。长城电源 (Greatwall) 。凭仗各安闲。半导体 。技能和电源范畴的深沉技能堆集 ，一起研制服务器 PSU 产品 ，为电源处理计划供给多元化的挑选。
长城电源自成立以来，一向致力于 。开关电源 。范畴的研制 、出产与出售，具有多年的电源开发规划及出产经历 ，产品涵盖了服务器电源 、台式机电源、 。通讯 。电源 、工业电源、砖块电源 、OBC 电源 、医疗电源等 。
从小型 。模仿 。器材到。数字电源。，TI 与长城电源的协作不断深化 ，逐步建立起更为严密和深化的技能协作关系 ，继续深耕电源范畴 。
TI 产品助力客户进一步开释电源潜力 。
人工。智能 。和智能驾驭等新式范畴的快速展开对核算才能提出了更高的需求 ，其背面所需的海量数据处理与运算促进数据 。中心 。的建造规划继续不断扩大 ，也对服务器电源体系提出更高功用规范 。作为数据中心供电体系的中心 ，服务器电源的重要性日益凸显，规划面临着史无前例的应战与机会 。
其间 ，完成高频化是缩小无源器材尺度 、提高功率密度的要害途径 。但是，高频运转也会带来更高的开关损耗 ，然后影响体系功率 。为处理这一问题 ，通过 。临界形式 (TCM) 。完成软 。开关操控 。，能够明显下降开关损耗 ，是提高体系功率的要害技能之一 。
TI 的 GaN 产品内置驱动 ，极大地简化了高频化规划过程中对寄生电感等参数的调整难度。其间 ，LMG3427R030 。集成了零 。电流检测 。(ZCD) 功用 ，当检测到漏极到源极的正向 。电流 。时，ZCD 引脚会输出脉冲 。信号 。 ，有助于在电流过零时进行高效开关 、提高功率 。此外 ，TI 产品的 ZCD 功用相同能够为客户完成 TCM 。 PFC 。规划供给有力支撑 。比较于外部检测计划，不只削减了体系的复杂度 ，也能够明显增强 ZCD 检测的抗干扰性 。
根据 TI ZCD GaN 的两相交织 TCM PFC 参阅计划 (PMP23475) ，可完成 PFC 级高达 99.2% 的功率 ，协助客户完成整机功率优化 。一起 ，比较于外部检测计划 ，集成 ZCD 功用削减了体系的复杂度，明显增强 ZCD 检测的抗干扰性 ，一起协助客户优化 ，下降体系全体 BOM 的本钱 ，开发更具有本钱竞争力的计划 。
根据对市场趋势与技能晋级的深入洞悉 ，长城电源挑选与 TI 展开深度技能协作 。TI 丰厚的 。电源办理 。产品和 GaN 技能助力客户在规划和出产中进一步开释技能潜力 。
不同于传统的外部 ZC 检测电路 ，TI 与长城电源一起界说了集成在 。LMG3427 。中的 ZCD 新特性，助力立异的 ZCD GaN 通过集成零电流检测功用完成逐周期操控 ，并运用该特性完成 TCM 操控，进一步提高体系功率和牢靠性 ，优化体系规划，为下一代 AI 服务器电源规划供给更优的处理计划 。
LMG3427R030: 更高效更牢靠 。
TI 的 。LMG3427R030 。是一款具有集成。驱动器 。 、维护和零电压检测功用的 600V 30mΩ GaN FET。该款器材的集成驱动器可保证器材在漏极压摆率时坚持关断状况 ，然后带来强壮的维护功用 ，包含呼应时刻小于 100ns 的逐周期过流与所存短路维护功用以及针对内部过热和 UVLO 监控的自我维护功用，硬开关时可接受 720V 浪涌 ，助力完成对反常电流的快速检测和牢靠防护。
该款器材具有高档电源办理特性 ，供给数字温度 PWM 输出 ，并助力完成软开关。转换器 。的 ZCD 和 ZVD 功用 ，可在检测到 。零电压开关 (ZVS) 。时在 ZVD 引脚输出脉冲信号 ，在检测到正漏源电流时供给来自 ZCD 引脚的脉冲输出。LMG3427R030 。适用于开关形式电源转换器 ，能够让规划人员完成更高水平的功率密度与功率 。
运用 TI GaN 技能进行功耗更低 、。
尺度更小 、更快更炫酷的规划。
LMG3427R030 。是 TI 的高功用功率 GaN 器材 。GaN 器材能够供给零反向恢复和超低输出 。电容 。 ，可在根据桥的拓扑中取得高功率 。直接驱动架构适用于通过集成式 。栅极驱动 。器直接操控 GaN 器材 。相较传统的级联办法 ，该架构具有更为超卓的开关功用，有助于处理 GaN 使用中的一系列难题 。除此之外，长城电源还通过其 ZCD 功用完成 TCM PFC 操控 ，然后简化体系规划 ，助力体系总功率到达 97.5% 。
作为一款宽带隙半导体 ，与传统的硅金属氧化物半导体场效应。晶体管 。( 。MOSFET 。) 和绝缘栅双极晶体管 ( 。IGBT 。) 比较 ，GaN 能够完成更高的功率密度和功率 ，更有效地进行电量处理 。 ，将功率转换器的功率损耗下降 80% ，并在更大程度上削减对增加冷却器材的需求 。通过将更多的电量存储在更小的空间内 ，GaN 能够协助 。工程师 。规划出更小更轻的体系 。
TI GaN 技能广泛使用于电信和服务器电源，太阳能体系和储能体系 ，以及轿车 、OBC 和直流/直流转换器中 ，并具有以下优势 ：
开关速度更快 、功率更高 ：TI 具有集成驱动器的 GaN FET 可完成 150V/ns 的开关速度 ，与低电感封装相结合 。可下降损耗 、供给洁净的开关功用并更大极限地削减振铃 。
体系尺度更小 、功率密度更高 ：TI 的 GaN 器材具有更快的开关速度，可协助规划人员完成超越 500kHz 的更高开关频率 ，然后 。将磁性元件尺度减缩高达 60%、减小体系尺度并下降体系本钱。
专为牢靠性而构建 ：TI 的 GaN 器材选用专有的硅基 GaN 工艺且已通过超越 8,000 万小时的牢靠性测验 ，并结合了维护功用 ，然后 。更好地保证高电压体系的安全 。
专用规划东西和资源：凭借 TI 的 GaN 规划资源可协助规划人员缩短产品面市时刻 。 ，这些资源包含功率损耗核算器 、用于 。电路仿真。的 PLECS 模型以及用于在更大体系中进行测验和运转的评价板 。
面临服务器 。电源技能 。的蓬勃展开 ，TI 将继续深耕电源范畴 ，探究怎么 。规划出功耗更低 、功率更高 、尺度更小 、更安全牢靠的产品和处理计划 ，不断推进功率密度与功率的提高 ，完成更高效 、更安全的电源规划 。